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IPW60R120P7晶体管-FET,MOSFET-单,原装现货,假一赔百!

发布时间:2019/3/12 10:44:00 访问次数:46 发布企业:深圳市诺美思科技金祥彩票


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数据列表

IPW60R120P7;
标准包装 240 包装 管件 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 CoolMOS™ P7


规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 8.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 410μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 36nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1544pF @ 400V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 95W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 PG-TO247-3 封装/外壳 TO-247-3

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