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BSS84LT1G

发布时间:2019/3/12 11:00:00 访问次数:46 发布企业:深圳市嘉轩电子科技金祥彩票

数据列表 B(V)SS84L Datasheet;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -


规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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