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TSM150NB04CRRLG/TSMxxxNB0x/40/V和60/V台湾半导体的MOSFET适用于高环境温度应用

发布时间:2019/3/13 16:06:00 访问次数:71 发布企业:深圳市和谐世家电子金祥彩票

TSMxxxNB0x 40 V和60 V N沟道MOSFET 台湾半导体的MOSFET适用于高环境温度应用

台湾半导体的TSMxxxNB0x 40 V和60 V N沟道MOSFET的图片TSC的40 V和60 V N沟道MOSFET系列具有额定温度为175°C的结温,适用于高温环境应用。这些器件提供逻辑或标准栅极阈值电压电平和宽范围的漏源导通电阻(RDS(ON))电平,可实现灵活,强大的电源开关设计。栅极 - 漏极电荷/栅极 - 源极电荷(Qgd/ Qgs)和反向恢复电荷(Qrr)参数已经过优化,可以改善品质因数并降低EMI,并在冷负载启动期间提供更高的浪涌电流能力并且急于求成。MOSFET采用小尺寸PDFN56封装,可提高应用中的功率密度。

特征 + 175°C工作结温 100%Rg和UIS测试 低RDS(ON)可最大限度地降低导电损耗 低栅极电荷,实现快速功率切换 逻辑水平 符合RoHS标准并符合WEEE 2002/96 / EC 无卤 小PDFN56包

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