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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1207页 > CAT28LV256T13I-20T
CAT28LV256
256K位CMOS并行ê
2
舞会
特点
s
3.0V至3.6V电源
s
读访问时间: 200/250/300 NS
s
低功耗CMOS功耗:
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
自动页写操作:
- 活动:15 mA最大。
- 待机: 150
µ
A最大。
s
简单的写操作:
- 1到64字节为10mS
- 页面加载定时器
s
写检测结束:
- 片上的地址和数据锁存
- 自定时写周期自动清零
s
快速写周期时间:
- 触发位
数据
轮询
s
硬件和软件写保护
s
100,000编程/擦除周期
s
百年数据保留
- 10ms以下。
s
商用,工业和汽车
温度范围
描述
该CAT28LV256是一款快速,低功耗,低电压
CMOS并行ê
2
PROM组织为32K ×8位。它
对于需要在系统编程的简单界面。
片上的地址和数据锁存,自定时写周期
与自动清零和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。
数据
轮询和切换状态位信号的开始和
自定时写周期的结束。此外,该
CAT28LV256功能的硬件和软件写
保护。
该CAT28LV256使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期,并具有数据
保留100年。该器件可用JEDEC-
批准的28引脚DIP , 28引脚TSOP和32引脚PLCC
包。
框图
A6–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
E
2
舞会
ARRAY
64字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
切换位
COLUMN
解码器
28LV256 F01
I/O0–I/O7
A0–A5
ADDR 。 BUFFER
&门锁
©2001 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知
1
文档。第25040-00 4/01 P- 1
CAT28LV256
引脚配置
DIP封装( P)
PLCC封装( N)
A7
A12
A14
NC
VCC
WE
A13
4 3 2 1 32 31 30
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
顶视图
29
28
27
26
25
24
23
22
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
13
21
14 15 16 17 18 19 20
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
28LV256 F02
TSOP顶视图(采用8mm x 13.4毫米) ( T13 )
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
28LV256 F03
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
3.0至3.6 V电源
无连接
文档。第25040-00 4/01 P- 1
2
CAT28LV256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力( TA = 25℃) ................................... 1.0W
引线焊接温度( 10秒) ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化,是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
mA
测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz的
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
模式选择
模式
字节写(我们控制)
字节写( CE控制)
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
( 2)最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
( 3)输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供( 4 )闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25040-00 4/01 P- 1
CAT28LV256
直流工作特性
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
范围
符号
I
CC
I
SBC(2)
I
LI
I
LO
V
IH(2)
V
IL
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流(工作, TTL )
V
CC
电流(待机, CMOS )
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
2
–1
–5
2
–0.3
2
0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
15
150
1
5
V
CC
+0.3
0.6
单位
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
I
OH
= –100µA
I
OL
= 1.0毫安
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟,所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE
= V
IH
交流的特点,读周期
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
28LV256-20
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(3)
t
OHZ(1)(3)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
分钟。
200
200
200
80
0
0
55
55
0
马克斯。
28LV256-25
分钟。
250
250
250
100
0
0
60
60
马克斯。
28LV256-30
分钟。
300
300
300
110
MAX 。单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
( 3)输出的浮动(高Z )被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。第25040-00 4/01 P- 1
4
CAT28LV256
图1.交流测试输入/输出波形
(2)
VCC - 0.3V
输入脉冲电平
0.0 V
0.6 V
28LV256 F04
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路(例如)
V
cc
1.8K
设备
TEST
1.3K
产量
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
28LV256 F05
交流的特点,写周期
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
28LV256-20
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
t
BLC(1)(4)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
字节负载循环时间
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
分钟。
马克斯。
10
28LV256-25
分钟。
马克斯。
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
28LV256-30
分钟。
MAX 。单位
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
µs
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
( 2 )输入上升和下降时间( 10 %和90 % ), < 10纳秒。
( 3 )小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T( 4 )计时器
BLC
最大。开始每低到高的转变
WE 。
如果允许超时,页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
文档。第25040-00 4/01 P- 1
CAT28LV256
256K位CMOS并行ê
2
舞会
特点
s
3.0V至3.6V电源
s
读访问时间: 200/250/300 NS
s
低功耗CMOS功耗:
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
自动页写操作:
H
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
- 活动:15 mA最大。
- 待机: 150
µ
A最大。
s
简单的写操作:
- 1到64字节为10mS
- 页面加载定时器
s
写检测结束:
- 片上的地址和数据锁存
- 自定时写周期自动清零
s
快速写周期时间:
- 触发位
数据
轮询
s
硬件和软件写保护
s
100,000编程/擦除周期
s
百年数据保留
- 10ms以下。
s
商用,工业和汽车
温度范围
描述
该CAT28LV256是一款快速,低功耗,低电压
CMOS并行ê
2
PROM组织为32K ×8位。它
对于需要在系统编程的简单界面。
片上的地址和数据锁存,自定时写周期
与自动清零和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。
数据
轮询和切换状态位信号的开始和
自定时写周期的结束。此外,该
CAT28LV256功能的硬件和软件写
保护。
该CAT28LV256使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期,并具有数据
保留100年。该器件可用JEDEC-
批准的28引脚DIP , 28引脚TSOP和32引脚PLCC
包。
框图
A6–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
E
2
舞会
ARRAY
64字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
切换位
COLUMN
解码器
28LV256 F01
I/O0–I/O7
A0–A5
ADDR 。 BUFFER
&门锁
©2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知
1
文档。 1071号,版本B
CAT28LV256
引脚配置
DIP封装(P , L)
PLCC封装(N ,G )
NC
VCC
WE
A13
A7
A12
A14
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
4 3 2 1 32 31 30
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
29
28
27
26
25
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
顶视图
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
TSOP顶视图(采用8mm x 13.4毫米) ( T13 , H13 )
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
3.0至3.6 V电源
无连接
文档。 1071号,版本B
2
CAT28LV256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力( TA = 25℃) ................................... 1.0W
引线焊接温度( 10秒) ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化,是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
mA
测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz的
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
模式选择
模式
字节写(我们控制)
字节写( CE控制)
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
( 2)最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
( 3)输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供( 4 )闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1071号,版本B
CAT28LV256
直流工作特性
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
范围
符号
I
CC
I
SBC(2)
I
LI
I
LO
V
IH(2)
V
IL
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流(工作, TTL )
V
CC
电流(待机, CMOS )
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
2
–1
–5
2
–0.3
2
0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
15
150
1
5
V
CC
+0.3
0.6
单位
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
I
OH
= –100µA
I
OL
= 1.0毫安
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟,所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE
= V
IH
交流的特点,读周期
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
28LV256-20
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(3)
t
OHZ(1)(3)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
分钟。
200
200
200
80
0
0
55
55
0
马克斯。
28LV256-25
分钟。
250
250
250
100
0
0
60
60
马克斯。
28LV256-30
分钟。
300
300
300
110
MAX 。单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
( 3)输出的浮动(高Z )被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。 1071号,版本B
4
CAT28LV256
图1.交流测试输入/输出波形
(2)
VCC - 0.3V
输入脉冲电平
0.0 V
0.6 V
28LV256 F04
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路(例如)
V
cc
1.8K
设备
TEST
1.3K
产量
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
28LV256 F05
交流的特点,写周期
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
28LV256-20
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
t
BLC(1)(4)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
字节负载循环时间
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
分钟。
马克斯。
10
28LV256-25
分钟。
马克斯。
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
28LV256-30
分钟。
MAX 。单位
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
µs
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
( 2 )输入上升和下降时间( 10 %和90 % ), < 10纳秒。
( 3 )小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T( 4 )计时器
BLC
最大。开始每低到高的转变
WE 。
如果允许超时,页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
文档。 1071号,版本B
CAT28LV256
256K位CMOS并行ê
2
舞会
特点
s
3.0V至3.6V电源
s
读访问时间: 200/250/300 NS
s
低功耗CMOS功耗:
s
CMOS和TTL兼容的I / O
s
自动页写操作:
- 活动:15 mA最大。
- 待机: 150
µ
A最大。
s
简单的写操作:
- 1到64字节为10mS
- 页面加载定时器
s
写检测结束:
- 片上的地址和数据锁存
- 自定时写周期自动清零
s
快速写周期时间:
- 触发位
数据
轮询
s
硬件和软件写保护
s
100,000编程/擦除周期
s
百年数据保留
- 10ms以下。
s
商用,工业和汽车
温度范围
描述
该CAT28LV256是一款快速,低功耗,低电压
CMOS并行ê
2
PROM组织为32K ×8位。它
对于需要在系统编程的简单界面。
片上的地址和数据锁存,自定时写周期
与自动清零和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。
数据
轮询和切换状态位信号的开始和
自定时写周期的结束。此外,该
CAT28LV256功能的硬件和软件写
保护。
该CAT28LV256使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期,并具有数据
保留100年。该器件可用JEDEC-
批准的28引脚DIP , 28引脚TSOP和32引脚PLCC
包。
框图
A6–A14
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
保护
ROW
解码器
32,768 x 8
E
2
舞会
ARRAY
64字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
切换位
COLUMN
解码器
28LV256 F01
I/O0–I/O7
A0–A5
ADDR 。 BUFFER
&门锁
©2001 Catalyst半导体公司
特性如有变更,恕不另行通知
1
文档。第25040-00 4/01 P- 1
CAT28LV256
引脚配置
DIP封装( P)
PLCC封装( N)
A7
A12
A14
NC
VCC
WE
A13
4 3 2 1 32 31 30
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
顶视图
29
28
27
26
25
24
23
22
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
13
21
14 15 16 17 18 19 20
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
28LV256 F02
TSOP顶视图(采用8mm x 13.4毫米) ( T13 )
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
28LV256 F03
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
3.0至3.6 V电源
无连接
文档。第25040-00 4/01 P- 1
2
CAT28LV256
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力( TA = 25℃) ................................... 1.0W
引线焊接温度( 10秒) ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
100,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化,是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
mA
测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz的
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
模式选择
模式
字节写(我们控制)
字节写( CE控制)
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
( 2)最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
( 3)输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供( 4 )闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。第25040-00 4/01 P- 1
CAT28LV256
直流工作特性
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
范围
符号
I
CC
I
SBC(2)
I
LI
I
LO
V
IH(2)
V
IL
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流(工作, TTL )
V
CC
电流(待机, CMOS )
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
2
–1
–5
2
–0.3
2
0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
15
150
1
5
V
CC
+0.3
0.6
单位
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
I
OH
= –100µA
I
OL
= 1.0毫安
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟,所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE
= V
IH
交流的特点,读周期
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
28LV256-20
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(3)
t
OHZ(1)(3)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
分钟。
200
200
200
80
0
0
55
55
0
马克斯。
28LV256-25
分钟。
250
250
250
100
0
0
60
60
马克斯。
28LV256-30
分钟。
300
300
300
110
MAX 。单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
(2) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
( 3)输出的浮动(高Z )被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。第25040-00 4/01 P- 1
4
CAT28LV256
图1.交流测试输入/输出波形
(2)
VCC - 0.3V
输入脉冲电平
0.0 V
0.6 V
28LV256 F04
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路(例如)
V
cc
1.8K
设备
TEST
1.3K
产量
CL = 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
28LV256 F05
交流的特点,写周期
V
CC
= 3.0V至3.6V ,除非另有说明
28LV256-20
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
t
BLC(1)(4)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
字节负载循环时间
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
分钟。
马克斯。
10
28LV256-25
分钟。
马克斯。
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
28LV256-30
分钟。
MAX 。单位
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
5
0.15
10
100
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
µs
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
( 2 )输入上升和下降时间( 10 %和90 % ), < 10纳秒。
( 3 )小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T( 4 )计时器
BLC
最大。开始每低到高的转变
WE 。
如果允许超时,页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
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